InicioBlogDiseño de Amplificador de Potencia
Estudio de Caso de Ingeniería

Estudio de Caso de Diseño de Amplificador de Potencia: PA de 10W a 2.4 GHz

Estudio de caso completo del diseño de un amplificador de potencia de 10W a 2.4 GHz que incluye selección de transistor, redes de adaptación, diseño térmico y resultados de medición.

Desde las especificaciones iniciales hasta la validación de producción final, esta guía demuestra los desafíos y soluciones reales del diseño de PA RF para aplicaciones WiFi 6.

Equipo de Electrónica de Potencia18 min de lectura

Descripción General y Especificaciones del Proyecto

Este estudio de caso integral documenta el proceso completo de diseño de un amplificador de potencia de 2.4 GHz y 10W para aplicaciones WiFi 6. Nuestra aplicación objetivo requiere alta eficiencia (PAE>40%), excelente linealidad para señales OFDM y rendimiento térmico robusto en un factor de forma compacto.

Especificaciones de Diseño

Rendimiento RF
  • Frecuencia: 2.4-2.5 GHz
  • Potencia de Salida: 10W (40 dBm)
  • Ganancia: 28 ± 1 dB
  • • PAE: >40% @ P1dB
  • • P1dB: >39 dBm
Requisitos del Sistema
  • Tensión de Alimentación: 28V
  • • EVM: <-25 dB (64-QAM)
  • Temp. de Operación: -40°C to +85°C
  • Tamaño: 15 × 10 mm maximum
  • Objetivo de Costo: <$8 en volumen de 10K

Selección y Análisis de Transistor

La selección del dispositivo es posiblemente la decisión más crítica en el diseño de PA, impactando directamente el rendimiento, el costo y la complejidad del diseño. Para nuestra aplicación de 2.4 GHz y 10W, evaluamos las tecnologías GaN HEMT, LDMOS y GaAs pHEMT.

Matriz de Comparación de Dispositivos

TecnologíaDensidad de PotenciaEficienciaCosto
GaN HEMT5-8 W/mm50-65%$$$$
LDMOS1-2 W/mm40-55%$$
GaAs pHEMT0.5-1 W/mm35-50%$$$

Seleccionado: Qorvo TGF2023-SM GaN sobre SiC HEMT - capacidad de 15W con excelente rendimiento térmico (Rth = 8°C/W)

Modelado de Dispositivo de Gran Señal

El modelado preciso del dispositivo es esencial para un diseño exitoso de PA, particularmente para la optimización de la eficiencia y la predicción de la linealidad. Las simulaciones de carga en la frecuencia y nivel de potencia objetivo revelaron impedancias de carga óptimas.

Impedancias Óptimas (Referencia Generador de Corriente)

Impedancia de Carga (ZL)
15 + j8 Ω
PAE Pico: 58%
Impedancia de Fuente (ZS)
5 - j3 Ω
Ganancia máx, estabilidad

Diseño de Red de Adaptación de Entrada

La red de adaptación de entrada transforma la impedancia del sistema de 50Ω a la impedancia de fuente óptima mientras proporciona inserción de polarización DC y estabilidad.

Valores de Componentes de Red de Entrada

Adaptación Primaria:

  • • L1: 3.9 nH (serie)
  • • C1: 1.8 pF (paralelo)
  • • L2: 2.2 nH (serie)
  • • C2: 0.8 pF (paralelo)

Estabilidad y Polarización:

  • • R_stab: 10 Ω (serie)
  • • C_stab: 100 pF (serie)
  • • L_bias: 100 nH (choque RF)
  • • C_bias: 1000 pF (bypass)
Simulado:S11 < -15 dB, K > 1.5, Ganancia = 12 dB

Diseño de Red de Adaptación de Salida

La red de adaptación de salida es más desafiante que la entrada debido a niveles de potencia más altos, contenido armónico y la necesidad de supresión armónica. Nuestro diseño utiliza un enfoque multisección que combina adaptación fundamental con terminación armónica.

  • Pérdida de retorno de salida mejor que -12 dB en toda la banda
  • Supresión del 2º armónico superior a -30 dBc
  • Supresión del 3er armónico superior a -35 dBc

Red de Polarización y Diseño Térmico

El diseño térmico es crítico para el nivel de potencia de 10W. La polarización de puerta se establece en -2.8V para operación Clase AB, proporcionando un compromiso entre eficiencia y linealidad.

Gestión Térmica

  • PCB multicapa con vías térmicas extensivas
  • Plano de tierra grande como disipador de calor
  • Aumento de temperatura de unión predicho: 65°C por encima del ambiente

Diseño e Implementación de PCB

El diseño de PCB de alta frecuencia requiere atención cuidadosa al diseño de líneas de transmisión, colocación de vías y gestión térmica.

Especificaciones de Diseño de PCB

Diseño de Apilamiento
  • • Layer 1: RO4350B (0.1mm)
  • • Layer 2: FR-4 Ground (0.1mm)
  • • Layer 3: FR-4 Power (0.1mm)
  • • Layer 4: RO4350B (0.1mm)
  • Espesor total: 0.8mm
Características Térmicas
  • Cobre de 2oz en todas las capas
  • Vías térmicas de 0.2mm (48 total)
  • Disipador de plano de tierra grande
  • Almohadilla térmica 5×5mm
  • • Rth(pcb): 15°C/W

Resultados de Medición y Validación

Las mediciones integrales validaron el rendimiento del diseño contra las especificaciones. Todos los resultados medidos cumplieron o superaron las especificaciones de diseño.

Resultados Medidos vs. Simulados

ParámetroEsp.SimuladoMedido
Ganancia @ 2.45 GHz28 ± 1 dB28.5 dB28.2 dB ✓
PAE @ 10W>40%45%42% ✓
P1dB>39 dBm39.8 dBm39.5 dBm ✓
2ª Armónica<-30 dBc-32 dBc-31 dBc ✓

Lecciones Aprendidas del Diseño

Desafíos Clave y Soluciones

Desafío: Gestión térmica

  • Solución: Matriz de vías térmicas multicapa y plano de tierra grande
  • Impacto: Temperatura de unión reducida en 15°C

Desafío: Sensibilidad a tolerancia de componentes

  • Solución: Ancho de banda de adaptación más amplio y selección de componentes
  • Impacto: Rendimiento mejorado de 85% a 96%

Desafío: Cumplimiento EMI/armónico

  • Solución: Filtrado armónico mejorado y blindaje
  • Impacto: Pruebas EMC superadas con margen de 10 dB

Perspectivas Clave de Diseño

  • La selección del dispositivo es crítica: considere la densidad de potencia, la eficiencia y el costo
  • El análisis de carga es esencial para optimizar la eficiencia y la potencia de salida
  • La gestión térmica se vuelve dominante en niveles de potencia superiores a 5W
  • Las tolerancias de los componentes impactan significativamente el rendimiento: diseñe para la robustez
  • La supresión de armónicos requiere redes de filtrado dedicadas

Recursos Relacionados

Use nuestras calculadoras para diseñar redes de adaptación para sus proyectos de amplificador de potencia:

Artículos Relacionados