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Niedrige Kosten. Gut für Digital <1GHz. Hoher Verlustfaktor (Df ~0.02).
Zuverlässig für Multilayer (>6L). Isola 370HR.
Erforderlich für 10Gbps+. Megtron 6, Rogers 4350B. Niedriger Df (~0.002).
Wesentliches Wissen für Signalintegritätsingenieure. Beherrschen Sie diese Konzepte, um zuverlässige Hochgeschwindigkeitsschaltungen zu entwerfen.
Die charakteristische Impedanz ist das Verhältnis von Spannung zu Strom für eine Welle, die sich entlang einer Übertragungsleitung ausbreitet. Sie hängt von der physikalischen Geometrie der Leiterbahn (Breite, Dicke, Höhe über der Massefläche) und der Dielektrizitätskonstante (Dk) des PCB-Materials ab. Für eine verlustfreie Leitung gilt Z₀ = √(L/C), wobei L die Induktivität pro Längeneinheit und C die Kapazität pro Längeneinheit ist.
Näherung für Leiterbahnen auf der Außenschicht. Gültig wenn W/H > 0.1 und εᵣ < 16.
εᵣDielektrizitätskonstante (Dk)HHöhe zur MasseflächeWLeiterbahnbreiteTLeiterbahndickeFür Innenschicht-Leiterbahnen zwischen zwei Masseflächen. Bessere EMI-Abschirmung.
εᵣDielektrizitätskonstanteHGesamtdielektrikumshöheWLeiterbahnbreiteTLeiterbahndickeZeit für das Signal, um einen Zoll zu durchlaufen. Kritisch für Timing-Analyse.
tpdAusbreitungsverzögerungεᵣEffektive DielektrizitätskonstanteFür differentielle Paare. k ist der Kopplungskoeffizient zwischen den Leiterbahnen.
ZdiffDifferentielle ImpedanzZ₀Single-Ended-ImpedanzkKopplungskoeffizient (0-1)Tiefe, bei der die Stromdichte auf 37% abfällt. Beeinflusst Hochfrequenzverluste.
δSkin-TiefeρSpezifischer Widerstand (Kupfer: 1.68×10⁻⁸ Ω·m)fFrequenz in HzJohnson-Formel für Via-Induktivität. Kritisch für Power Integrity.
hVia-Höhe (Zoll)dVia-Durchmesser (Zoll)LInduktivität (nH)| Material | Dk | Df | Anwendung |
|---|---|---|---|
| FR-4 Standard | 4.2-4.5 | 0.02 | Allzweck, <3Gbps |
| FR-4 High Tg | 4.2-4.4 | 0.018 | Bleifrei, hohe Temp |
| Isola 370HR | 4.04 | 0.021 | Hohe Zuverlässigkeit |
| Megtron 6 | 3.4 | 0.002 | Hochgeschwindigkeit, 25Gbps+ |
| Rogers 4350B | 3.48 | 0.0037 | RF/Mikrowelle bis 10GHz |
| Rogers 4003C | 3.55 | 0.0027 | Kostengünstiges RF |
| Schnittstelle | Z₀ (SE) | Zdiff | Hinweise |
|---|---|---|---|
| DDR4/DDR5 | 40Ω | 80Ω | ±10% Toleranz |
| USB 2.0 | 45Ω | 90Ω | ±10% |
| USB 3.x/4 | 45Ω | 85Ω | ±10% |
| PCIe Gen3/4/5 | 50Ω | 85Ω | ±10% |
| HDMI 2.x | 50Ω | 100Ω | ±10% |
| Ethernet 1G | 50Ω | 100Ω | ±10% |
| SATA | 50Ω | 100Ω | ±15% |
| Gewicht (oz) | Dicke (mil) | Dicke (μm) | Strom (A/mm) |
|---|---|---|---|
| 0.5 oz | 0.7 mil | 17.5 μm | ~3A |
| 1 oz | 1.4 mil | 35 μm | ~6A |
| 2 oz | 2.8 mil | 70 μm | ~12A |
| 3 oz | 4.2 mil | 105 μm | ~18A |
| Frequenz | Skin-Tiefe | Effekt |
|---|---|---|
| 100 MHz | 6.6 μm | Minimale Auswirkung |
| 1 GHz | 2.1 μm | Beeinflusst 0.5oz |
| 5 GHz | 0.93 μm | Deutlicher Verlust |
| 10 GHz | 0.66 μm | Glattes Kupfer |
| 25 GHz | 0.42 μm | Kritisch - HVLP erforderlich |
Außenschicht-Leiterbahn
Innenschicht-Leiterbahn
Leiterbahnabstand ≥3× Leiterbahnbreite einhalten, um Übersprechen zu minimieren. Für kritische Signale 5W verwenden.
Immer eine durchgehende Massefläche unter Hochgeschwindigkeitsleiterbahnen sicherstellen. Splits und Schlitze vermeiden.
Für DDR Datenleitungen innerhalb ±10mil anpassen. Serpentinen-Routing auf kürzeren Leiterbahnen verwenden.
Vias für >10Gbps-Signale hinterbohren. Stubs verursachen Reflexionen bei λ/4-Frequenz.
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