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Caso di Studio Ingegneristico

Caso di Studio di Progettazione di Amplificatore di Potenza: PA da 10W a 2.4 GHz

Studio di caso completo della progettazione di un amplificatore di potenza da 10W a 2.4 GHz inclusa la selezione del transistor, le reti di adattamento, il progetto termico e i risultati delle misurazioni.

Dalle specifiche iniziali alla validazione di produzione finale, questa guida dimostra le sfide e le soluzioni reali di progettazione PA RF per applicazioni WiFi 6.

Team Elettronica di Potenza18 min di lettura

Panoramica e Specifiche del Progetto

Questo caso di studio completo documenta il processo completo di progettazione di un amplificatore di potenza da 2.4 GHz e 10W per applicazioni WiFi 6. La nostra applicazione target richiede alta efficienza (PAE>40%), eccellente linearità per segnali OFDM e prestazioni termiche robuste in un fattore di forma compatto.

Specifiche di Progettazione

Prestazioni RF
  • Frequenza: 2.4-2.5 GHz
  • Potenza di Uscita: 10W (40 dBm)
  • Guadagno: 28 ± 1 dB
  • • PAE: >40% @ P1dB
  • • P1dB: >39 dBm
Requisiti di Sistema
  • Tensione di Alimentazione: 28V
  • • EVM: <-25 dB (64-QAM)
  • Temp. di Funzionamento: -40°C to +85°C
  • Dimensione: 15 × 10 mm maximum
  • Obiettivo di Costo: <$8 in volume da 10K

Selezione e Analisi del Transistor

La selezione del dispositivo è probabilmente la decisione più critica nella progettazione PA, impattando direttamente prestazioni, costo e complessità di progettazione. Per la nostra applicazione da 2.4 GHz e 10W, abbiamo valutato le tecnologie GaN HEMT, LDMOS e GaAs pHEMT.

Matrice di Confronto dei Dispositivi

TecnologiaDensità di PotenzaEfficienzaCosto
GaN HEMT5-8 W/mm50-65%$$$$
LDMOS1-2 W/mm40-55%$$
GaAs pHEMT0.5-1 W/mm35-50%$$$

Selezionato: Qorvo TGF2023-SM GaN su SiC HEMT - capacità di 15W con eccellenti prestazioni termiche (Rth = 8°C/W)

Modellazione di Dispositivo a Grande Segnale

La modellazione precisa del dispositivo è essenziale per una progettazione PA di successo, in particolare per l'ottimizzazione dell'efficienza e la previsione della linearità. Le simulazioni di carico alla frequenza e al livello di potenza target hanno rivelato impedenze di carico ottimali.

Impedenze Ottimali (Riferimento Generatore di Corrente)

Impedenza di Carico (ZL)
15 + j8 Ω
PAE di Picco: 58%
Impedenza di Sorgente (ZS)
5 - j3 Ω
Guadagno max, stabilità

Progettazione di Rete di Adattamento di Ingresso

La rete di adattamento di ingresso trasforma l'impedenza del sistema da 50Ω all'impedenza di sorgente ottimale fornendo al contempo inserimento di polarizzazione DC e stabilità.

Valori dei Componenti della Rete di Ingresso

Adattamento Primario:

  • • L1: 3.9 nH (serie)
  • • C1: 1.8 pF (shunt)
  • • L2: 2.2 nH (serie)
  • • C2: 0.8 pF (shunt)

Stabilità e Polarizzazione:

  • • R_stab: 10 Ω (serie)
  • • C_stab: 100 pF (serie)
  • • L_bias: 100 nH (choke RF)
  • • C_bias: 1000 pF (bypass)
Simulato:S11 < -15 dB, K > 1.5, Guadagno = 12 dB

Progettazione di Rete di Adattamento di Uscita

La rete di adattamento di uscita è più impegnativa dell'ingresso a causa di livelli di potenza più elevati, contenuto armonico e necessità di soppressione armonica. Il nostro progetto utilizza un approccio multisezione che combina adattamento fondamentale con terminazione armonica.

  • Perdita di ritorno in uscita migliore di -12 dB su tutta la banda
  • Soppressione della 2ª armonica superiore a -30 dBc
  • Soppressione della 3ª armonica superiore a -35 dBc

Rete di Polarizzazione e Progettazione Termica

Il progetto termico è critico per il livello di potenza di 10W. La polarizzazione di gate è impostata a -2.8V per l'operazione in Classe AB, fornendo un compromesso tra efficienza e linearità.

Gestione Termica

  • PCB multistrato con vie termiche estensive
  • Piano di massa ampio come dissipatore di calore
  • Aumento previsto della temperatura di giunzione: 65°C sopra l'ambiente

Layout e Implementazione di PCB

Il layout di PCB ad alta frequenza richiede attenzione attenta alla progettazione di linee di trasmissione, posizionamento delle vie e gestione termica.

Specifiche di Progettazione di PCB

Progettazione di Impilamento
  • • Layer 1: RO4350B (0.1mm)
  • • Layer 2: FR-4 Ground (0.1mm)
  • • Layer 3: FR-4 Power (0.1mm)
  • • Layer 4: RO4350B (0.1mm)
  • Spessore totale: 0.8mm
Caratteristiche Termiche
  • Rame da 2oz su tutti gli strati
  • Vie termiche da 0.2mm (48 totali)
  • Dissipatore di piano di massa ampio
  • Pad termico 5×5mm
  • • Rth(pcb): 15°C/W

Risultati di Misurazione e Validazione

Le misurazioni complete hanno validato le prestazioni di progettazione rispetto alle specifiche. Tutti i risultati misurati hanno soddisfatto o superato le specifiche di progettazione.

Risultati Misurati vs. Simulati

ParametroSpecSimulatoMisurato
Guadagno @ 2.45 GHz28 ± 1 dB28.5 dB28.2 dB ✓
PAE @ 10W>40%45%42% ✓
P1dB>39 dBm39.8 dBm39.5 dBm ✓
2ª Armonica<-30 dBc-32 dBc-31 dBc ✓

Lezioni Apprese dalla Progettazione

Sfide Chiave e Soluzioni

Sfida: Gestione termica

  • Soluzione: Array di vie termiche multistrato e piano di massa ampio
  • Impatto: Temperatura di giunzione ridotta di 15°C

Sfida: Sensibilità alla tolleranza dei componenti

  • Soluzione: Larghezza di banda di adattamento più ampia e selezione dei componenti
  • Impatto: Resa migliorata dall'85% al 96%

Sfida: Conformità EMI/armonica

  • Soluzione: Filtraggio armonico migliorato e schermatura
  • Impatto: Test EMC superati con margine di 10 dB

Intuizioni Chiave di Progettazione

  • La selezione del dispositivo è critica - considerare densità di potenza, efficienza e costo
  • L'analisi di carico è essenziale per ottimizzare l'efficienza e la potenza di uscita
  • La gestione termica diventa dominante a livelli di potenza superiori a 5W
  • Le tolleranze dei componenti impattano significativamente la resa - progettare per la robustezza
  • La soppressione armonica richiede reti di filtraggio dedicate

Risorse Correlate

Usa i nostri calcolatori per progettare reti di adattamento per i tuoi progetti di amplificatore di potenza:

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